特許
J-GLOBAL ID：200903082207057810
半導体集積回路装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-097486
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310451
出願日： 1993年04月23日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウエハに形成される拡散層の浅い接合の形成制御性を向上させる。【構成】 半導体基板1の表面に電子線を照射することにより、半導体基板1に欠陥またはダングリングボンドを生成する工程と、半導体基板1の表面の原子配列または構造を観察しながら欠陥またはダングリングボンドに不純物原子であるホウ素を配置する工程とを有する半導体集積回路装置の製造方法である。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハの表面にエネルギービームを照射することにより、半導体ウエハに欠陥またはダングリングボンドを生成する工程と、前記半導体ウエハの表面の原子スケールでの状態を観察しながら前記欠陥またはダングリングボンドに1または複数の不純物原子を配置する工程とを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/22
, H01L 21/263
, H01L 21/336
, H01L 29/784
