特許

J-GLOBAL ID：200903084635377164

半導体装置およびその製造方法

発明者： 若林 整
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 勝 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-319369
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150871
出願日： 1998年11月10日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】 高融点金属膜を有する低抵抗ゲート電極を用いた半導体装置を提供する。【解決手段】 シリコン基板上ゲート絶縁膜の上に構成されるゲート電極が、ゲート絶縁膜側から、窒化チタン膜、タングステンシリコン膜、タングステン膜の順に構成されることを特徴とする半導体装置。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上ゲート絶縁膜の上に構成されるゲート電極が、ゲート絶縁膜側から、窒化チタン膜、タングステンシリコン膜、タングステン膜の順に構成されることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (6件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/28 301 D ,  H01L 21/88 Q ,  H01L 27/08 321 D

Fターム (57件)：

4M104BB01 ,  4M104BB30 ,  4M104BB37 ,  4M104CC05 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD65 ,  4M104DD79 ,  4M104FF14 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH16 ,  5F033HH04 ,  5F033HH05 ,  5F033HH19 ,  5F033HH28 ,  5F033HH33 ,  5F033LL08 ,  5F033MM05 ,  5F033MM07 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033VV06 ,  5F033WW02 ,  5F033XX10 ,  5F040DA06 ,  5F040DC01 ,  5F040EC02 ,  5F040EC06 ,  5F040EC07 ,  5F040EC13 ,  5F040EF02 ,  5F040EM01 ,  5F040EM02 ,  5F040FA16 ,  5F040FC13 ,  5F040FC19 ,  5F040FC21 ,  5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BC06 ,  5F048DA18