特許
J-GLOBAL ID：200903085828747607

結晶薄膜及びその製造方法

発明者：
大崎 壽

大崎 壽 について

, 
渡部 俊也

渡部 俊也 について

, 
柴山 優子

柴山 優子 について


出願人/特許権者：
国立大学法人 東京大学

国立大学法人 東京大学 について


代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-095503
公開番号（公開出願番号）：特開2008-255373
出願日： 2007年03月30日
公開日（公表日）： 2008年10月23日
要約：
【課題】非晶質薄膜及び/又は結晶性の低い薄膜を、薄膜の温度を低温に保ちつつ、短時間で結晶化させて得られ、均質で、且つ、樹脂基板上に形成可能である結晶薄膜、及び、その製造方法を提供する。【解決手段】非晶質薄膜及び/又は結晶性の低い薄膜を、該薄膜の極近傍に薄膜面と平行に導電性の電極を配置した高周波印加装置内に配置し、高周波電界が該薄膜に集中する条件でプラズマを発生させ、温度を150°C以下に維持しながら、及び/又は、結晶化に要する時間15分以内で、結晶化させて得られることを特徴とする。高周波電界が、非晶質薄膜等に集中するように、プラズマを発生させるために、高周波印加装置内の気体の圧力を最適に制御することが好ましい。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
非晶質薄膜及び/又は結晶性の低い薄膜を、該薄膜面と平行に導電性の電極を配置した高周波印加装置内に配置し、高周波電界が該薄膜に集中する条件でプラズマを発生させ、温度を150°C以下に維持しながら結晶化させて得られる結晶薄膜。
IPC (3件)：
C23C 26/00 ,  H05H 1/46 ,  H01L 21/20
FI (3件)：
C23C26/00 M ,  H05H1/46 M ,  H01L21/20
Fターム (36件)：
4K044AA01 ,  4K044AA11 ,  4K044AA12 ,  4K044AA16 ,  4K044AB02 ,  4K044BA12 ,  4K044BA18 ,  4K044BA19 ,  4K044BB01 ,  4K044BB17 ,  4K044BC14 ,  4K044CA13 ,  4K044CA34 ,  4K044CA57 ,  5F152AA08 ,  5F152CC01 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC04 ,  5F152CC05 ,  5F152CC06 ,  5F152CC08 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CE05 ,  5F152CE12 ,  5F152CE14 ,  5F152CE16 ,  5F152CE18 ,  5F152CE24 ,  5F152EE12 ,  5F152EE13 ,  5F152EE16 ,  5F152FF20 ,  5F152FF23 ,  5F152FF39
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 国際公開第03/031673号パンフレット
  • 国際公開第05/077525号パンフレット
審査官引用 (3件)

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