特許
J-GLOBAL ID：200903086414678308
表面形状認識用センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-070619
公開番号（公開出願番号）：特開2000-266506
出願日： 1999年03月16日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：
【要約】【課題】 センシングの際に発生する静電気によって静電破壊されることなどがないなど、安定して高感度の表面形状検出が信頼性の高い状態でできるようにする。【解決手段】 半導体基板101上の下層絶縁膜102上に形成された層間絶縁膜104上に、絶縁層107表面において露出部が格子状に形成されたアース106を備え、マスの中央部に例えば80μm角のセンサ電極105が配置される。また、そのセンサ電極105を覆うように絶縁層107が形成されている。そして、その絶縁層107上に、複数の対向電極108が配置されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された層間絶縁膜の同一平面にそれぞれが絶縁分離され、かつそれぞれ固定配置されたセンサ電極を有する複数の容量検出素子と、この容量検出素子それぞれの容量を検出する容量検出手段と、前記層間絶縁膜上で前記センサ電極と絶縁分離されて配置された固定電極と、前記層間絶縁膜上にセンサ電極を覆うように形成されかつ絶縁性の部材から構成された絶縁層と、この絶縁層上に他とは絶縁分離されて形成された前記センサ電極より小さい面積の複数の対向電極とを備え、前記固定電極は前記容量検出素子表面にその一部が露出して形成され、前記センサ電極と前記対向電極との間に形成される容量が前記容量検出手段に検出されることを特徴とする表面形状認識用センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01B 7/28 A
, G06F 15/64 G
2F063AA43
, 2F063BA29
, 2F063CA28
, 2F063DA02
, 2F063DA05
, 2F063DD07
, 2F063HA00
, 2F063HA10
, 5B047AA25
