特許

J-GLOBAL ID：200903086828862500

誘電体絶縁薄膜の製造方法及び誘電体絶縁材料

発明者： 国武 豊喜 ,  青木 芳尚
出願人/特許権者： 独立行政法人理化学研究所
代理人 (1件)： 特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2004004312
公開番号（公開出願番号）：WO2004-086486
出願日： 2004年03月26日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：

簡便な操作で、汎用性があり、かつ様々な誘電率を有し、精密な膜厚制御及び組成、構造、厚さ等の制御が可能な誘電体絶縁薄膜の製造方法を提供する。 表面に水酸基を有するか又は表面に水酸基を導入した基材に、水酸基と縮合反応し、かつ加水分解により水酸基を生成し得る官能基を有する金属化合物を吸着させる工程Aと、基材表面から過剰な金属化合物を除去する工程Bと、金属化合物を加水分解して金属酸化物層を形成する工程Cと、金属酸化物層を酸素プラズマ処理、オゾン酸化処理、焼成処理及び急熱酸化処理からなる群から選ばれる少なくとも一種の処理方法で前記層を処理することにより誘電体絶縁薄膜を得る工程Dとを有する。

請求項（抜粋）：

表面に水酸基を有するか又は表面に水酸基を導入した基材に、水酸基と縮合反応し、かつ加水分解により水酸基を生成し得る官能基を有する金属化合物を吸着させる工程Aと、 基材表面から過剰な金属化合物を除去する工程Bと、 金属化合物を加水分解して表面に水酸基を有する金属酸化物層を形成する工程Cと、 酸素プラズマ処理、オゾン酸化処理、焼成処理及び急熱酸化処理からなる群から選ばれる少なくとも一種の処理方法で前記層を処理することにより誘電体絶縁薄膜を得る工程Dとを有する誘電体絶縁薄膜の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L21/316 C ,  H01L29/78 301G

Fターム (28件)：

4G030AA11 ,  4G030AA13 ,  4G030AA16 ,  4G030AA17 ,  4G030AA18 ,  4G030AA21 ,  4G030AA37 ,  4G030BA09 ,  4G030CA08 ,  4G030GA09 ,  4G030GA18 ,  4G030GA20 ,  4G030GA23 ,  4G030GA24 ,  4G030GA27 ,  5F058BC03 ,  5F058BF41 ,  5F058BH03 ,  5F058BH16 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA24 ,  5F140BD01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BE05 ,  5F140BE17