表面形状認識用センサの製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-071421
公開番号（公開出願番号）：特開2003-269907
出願日： 2002年03月15日
公開日（公表日）： 2003年09月25日
要約：

【要約】【課題】センシングの際に発生する静電気によって静電破壊されることがないなど、安定して高感度の表面形状検出が信頼性の高い状態でできるようにする。【解決手段】スルーホール109a内を含めたパシベーション膜109上に、スパッタ法によりTi/TiNからなる金属膜110を形成する。次いで、センサ電極107がマスの中央部に配置するような平面視格子状のレジストパターン111を、接続電極膜108上の領域を跨いだ状態に形成する。この後、レジストパターン111をマスクとし、例えばリアクティブイオンエッチングなどのドライエッチング法により金属膜110を選択的にエッチング除去する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第1配線および第2配線を形成する工程と、前記半導体基板上に前記第1配線および第2配線を覆う層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜に形成された第1スルーホールおよび第2スルーホールを介して前記第1配線および第2配線に電気的に接続する第1金属膜を形成する工程と、前記第1金属膜の上に前記第1スルーホールの開口部に対応する所定の第1領域と前記第2スルーホールの開口部に対応する所定の第2領域とを覆う第1マスクパターンを形成する工程と、前記第1マスクパターンの開口部底部に露出した前記第1金属膜を選択的に除去し、前記第1領域に前記第1配線に接続された前記第1金属膜からなるセンサ電極を形成し、前記第2領域に前記第2配線に接続された前記第1金属膜からなる接続電極膜を形成する工程と、前記センサ電極および接続電極膜を覆って前記層間絶縁膜の上に絶縁物からなるパシベーション膜を形成する工程と、前記パシベーション膜に前記接続電極膜に通ずる第3スルーホールを形成する工程と、前記第3スルーホールの底部に露出した前記接続電極膜に接触した状態で前記パシベーション膜の上に第2金属膜を形成する工程と、前記第2金属膜の上に、前記センサ電極に対応する領域を除いた前記第3スルーホールを含む所定領域にパターン部を有する第2マスクパターンを形成する工程と、前記第2マスクパターンをマスクとして前記第2金属膜を選択的に除去することで、前記接続電極膜を介して前記第2配線に接続するアース電極を形成する工程とを備えたことを特徴とする表面形状認識用センサの製造方法。

Fターム (13件)：

2F063AA41 , 2F063BA29 , 2F063BB08 , 2F063BC04 , 2F063BD11 , 2F063CA17 , 2F063CA34 , 2F063DA02 , 2F063DA05 , 2F063DB05 , 2F063DD07 , 2F063HA04 , 2F063HA10

引用特許：

審査官引用 (1件)

表面形状認識用センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-032554 出願人：日本電信電話株式会社

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