特許

J-GLOBAL ID：200903089473923579

半導体エピタキシャル成長方法

発明者： 冨谷 茂隆 ,  中野 一志 ,  伊藤 哲 ,  湊屋 理佳子
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-250801
公開番号（公開出願番号）：特開平8-115877
出願日： 1994年10月17日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：

【要約】【目的】 II-VI 族化合物半導体のエピタキシャル成長において、確実にうねりの発生を回避できるようにし、例えば半導体発光素子の製造方法に適用して安定して、寿命、発光特性にすぐれた半導体発光素子を得ることができるようにする。【構成】 II-VI 族化合物半導体のエピタキシャル成長にあたり、そのエピタキシャル成長時のVI/II比すなわちVI族元素とII族元素の供給比を1.3〜2.5に選定する。

請求項（抜粋）：

II-VI 族化合物半導体のエピタキシャル成長にあたり、そのエピタキシャル成長時のVI/II比を1.3〜2.5に選定したことを特徴とする半導体エピタキシャル成長方法。

IPC (3件)：

H01L 21/203 ,  C30B 25/14 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭64-051394
  
• p型ZnSeの結晶成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-021278   出願人：三洋電機株式会社
• 特開昭63-319296
  
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-022769   出願人：ソニー株式会社