特許

J-GLOBAL ID：200903089729542519

半導体発光素子

発明者： 深野 秀樹 ,  野口 悦男 ,  近藤 進
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-059473
公開番号（公開出願番号）：特開平11-261154
出願日： 1998年03月11日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：

【要約】【課題】 しきい値電流の低いリッジ構造半導体発光素子を提供することを課題とする。【解決手段】 単一組成、段階状組成、疑似傾斜組成または傾斜組成のセパレートコンファインメントヘテロ接合層(SCH層)に挟まれた単一または多重量子井戸構造を含む発光層と前記SCH層を挟み込むように両側にクラッド層を有する半導体発光素子において、p形クラッド層15側のSCH層14とp形クラッド層15の間の価電子帯のエネルギー不連続が正孔に対し障壁とならない、ほとんど零であり、伝導帯のエネルギー不連続は電子に対し障壁となる正の値を有するように組成を選択したクラッド層/SCH層で構成される。

請求項（抜粋）：

単一組成、段階状組成、疑似傾斜組成または傾斜組成のセパレートコンファインメントヘテロ接合層(SCH層)に挟まれた単一または多重量子井戸構造を含む発光層と前記SCH層を挟み込むように両側にクラッド層を有する半導体発光素子において、p形クラッド層側のSCH層とp形クラッド層の間の価電子帯のエネルギー不連続が正孔に対し障壁とならない、ほとんど零であり、伝導帯のエネルギー不連続は電子に対し障壁となる正の値を有するように組成を選択したクラッド層/SCH層で構成されることを特徴とする半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-130525   出願人：日本電信電話株式会社