特許
J-GLOBAL ID：200903090554276487
表面形状認識用センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-032554
公開番号（公開出願番号）：特開2000-230801
出願日： 1999年02月10日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：
【要約】【課題】 センシングの際に発生する静電気によって静電破壊されることなどがないなど、安定して高感度の表面形状検出が信頼性の高い状態でできるようにする。【解決手段】 半導体基板101上の下層絶縁膜102上に形成された層間絶縁膜104上に、パシベーション膜表面において露出部が格子状に形成されたアース106を備え、マスの中央部にたとえば80μm角のセンサ電極105が配置される。また、そのセンサ電極105を覆うようにパシベーション膜107が形成されている。その中で、パシベーション膜107に比誘電率4の材料を用いそのセンサ電極105上の膜厚を2μmとしたとき、センサ電極105とその周囲に配置されているアース電極(固定電極)106との距離は2μmとすることが良い。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された層間絶縁膜の同一平面にそれぞれが絶縁分離され、かつそれぞれ固定配置されたセンサ電極を有する複数の容量検出素子と、前記容量検出素子それぞれの容量を検出する容量検出手段と、前記層間絶縁膜上で前記センサ電極と絶縁分離されて配置された固定電極とを備えたことを特徴とする表面形状認識用センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01B 7/28 H
, G06F 15/64 G
2F063AA43
, 2F063BA29
, 2F063CA28
, 2F063DA02
, 2F063DA05
, 2F063DD07
, 2F063HA04
, 5B047AA25
