半導体装置及びその製造方法

発明者： , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：宮崎昭夫 , 石橋政幸 , 緒方雅昭
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2004012092
公開番号（公開出願番号）：WO2005-020325
出願日： 2004年08月24日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：

基体平面に対して突出した半導体凸部と、この半導体凸部を跨ぐようにその上面から相対する両側面上に延在するゲート電極と、このゲート電極と前記半導体凸部の間に介在する絶縁膜と、ソース/ドレイン領域とを有するMIS型電界効果トランジスタを備えた半導体装置であって、1つのチップ内に、前記MIS型電界効果トランジスタとして、ゲート電極下の前記半導体凸部における基板平面に平行かつチャネル長方向に垂直な方向の幅Wが互いに異なる複数種のトランジスタを有する半導体装置。

請求項（抜粋）：

基体平面に対して突出した半導体凸部と、この半導体凸部を跨ぐようにその上面から相対する両側面上に延在するゲート電極と、このゲート電極と前記半導体凸部の間に介在する絶縁膜と、ソース/ドレイン領域とを有するMIS型電界効果トランジスタを備えた半導体装置であって、 1つのチップ内に、前記MIS型電界効果トランジスタとして、ゲート電極下の前記半導体凸部における基板平面に平行かつチャネル長方向に垂直な方向の幅Wが互いに異なる複数種のトランジスタを有する半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 27/092 , H01L 27/08

FI (8件)：

H01L29/78 618C , H01L27/08 102B , H01L27/08 321C , H01L27/08 331E , H01L27/08 102A , H01L27/08 311B , H01L29/78 613Z , H01L29/78 613A

Fターム (61件)：

5F048AA01 , 5F048AB01 , 5F048AB03 , 5F048AB06 , 5F048AB07 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048BA10 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BA17 , 5F048BB01 , 5F048BB02 , 5F048BB03 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB15 , 5F048BB16 , 5F048BC06 , 5F048BC18 , 5F048BD02 , 5F048BD04 , 5F048BD06 , 5F048BF06 , 5F048BF16 , 5F048BF18 , 5F048BG07 , 5F048DA23 , 5F110AA30 , 5F110BB03 , 5F110BB04 , 5F110CC10 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE09 , 5F110EE22 , 5F110EE29 , 5F110FF02 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG12 , 5F110GG22 , 5F110GG28 , 5F110GG34 , 5F110GG52 , 5F110GG60 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HM02 , 5F110HM15 , 5F110NN74 , 5F110NN78 , 5F110QQ17 , 5F110QQ19

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