特許
J-GLOBAL ID：200903096036644098
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-298914
公開番号（公開出願番号）：特開平9-121073
出願日： 1995年10月24日
公開日（公表日）： 1997年05月06日
要約：
【要約】【課題】 低動作電圧で長寿命かつ高信頼性のII-VI族化合物半導体を用いた半導体発光素子を提供する。【解決手段】 p型GaAs基板1上にp型Alx Ga1-x Asバッファ層2およびp型(Alx Ga1-x )y In1-y Pバッファ層3を順次積層し、その上にp型ZnSeバッファ層5、p型ZnMgSSeクラッド層7、p型ZnSSe光導波層8、ZnCdSe活性層9、n型ZnSSe光導波層10、n型ZnMgSSeクラッド層11などのII-VI族化合物半導体層を積層することにより構成される半導体発光素子において、p型(Alx Ga1-x )y In1-y Pバッファ層3とp型ZnSeバッファ層5との間にp型GaAs結晶欠陥発生抑制層4を設ける。
請求項（抜粋）：
p型GaAs基板と、上記p型GaAs基板上のp型AlGaInPからなるバッファ層と、上記p型AlGaInPからなるバッファ層上の少なくとも発光部を構成する複数のII-VI族化合物半導体層とを有する半導体発光素子において、上記p型AlGaInPからなるバッファ層と上記II-VI族化合物半導体層との間にGaAsからなる結晶欠陥発生抑制層が設けられていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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