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J-GLOBAL ID：201002200404007590   整理番号：10A0882802

DFT計算によるシリコン単原子空孔の局在電子軌道の解析

著者 (6件)： 小川貴史 (新潟大 大学院) ,  鶴田健二 (岡山大 大学院) ,  家富洋 (新潟大 大学院) ,  根本祐一 (新潟大 大学院) ,  金田寛 (新潟大 物質量子セ) ,  後藤輝孝 (新潟大 大学院)
資料名： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
巻： 65  号： 2 第4分冊  ページ： 928  発行年： 2010年08月18日 
JST資料番号： S0671B  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ケイ素 ,  *単結晶 ,  極低温 ,  弾性係数 ,  超音波 ,  依存性 ,  磁場 ,  *空孔欠陥 ,  原子 ,  四重極 ,  密度汎関数法 ,  第一原理 ,  計算 ,  電子 ,  局在状態 ,  軌道 ,  解析 ,  サイズ効果
準シソーラス用語： 密度汎関数理論

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： DFT計算 ,  シリコン ,  単原子 ,  空孔 ,  電子軌道 ,  解析