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J-GLOBAL ID：201002209761611410   整理番号：10A1330467

絶縁体上の(110)シリコン上のSiナノワイヤpMOSFETにおける正孔移動度特性

Hole Mobility Characteristics in Si Nanowire pMOSFETs on (110) Silicon-on-Insulator

著者 (3件)： CHEN Jiezhi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SARAYA Takuya (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 11  ページ： 1181-1183  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (110)SOI基板上のゲートオールアラウンドSiナノワイヤにおける正孔移動度について調査した。改良スプリットCV法を用い,幅25~68nmの矩形ナノワイヤの真性移動度を測定した。とくに[110]方向ナノワイヤにおいて,(100)表面のユニバーサル移動度を2.4倍も上回る高い移動度を観測した。さらに,一軸引張応力による移動度変調も検討した。その結果から,(110)基板上の[110]方向ナノワイヤMOSFETにおいては,電子移動度向上だけでなく高い正孔移動度も得られると述べた。

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  *MOSFET ,  素子構造 ,  *キャリア移動度 ,  SOI構造 ,  歪 ,  軸方向 ,  結晶方位 ,  *シリコンナノワイヤ ,  *正孔移動度 ,  一軸歪 ,  ゲートオールアラウンド構造
準シソーラス用語： ゲートオールアラウンド

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 絶縁体 ,  シリコン ,  Si ,  ナノワイヤ ,  pMOSFET ,  正孔移動度