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J-GLOBAL ID:201002225065319009   整理番号:10A0860202

65nm CMOSプロセスを用いた偏光計測イメージセンサの設計・開発

Design and Development of Polarization-Analyzing Image Sensor using 65nm CMOS Process
著者 (5件):
資料名:
巻: 110  号: 140(ICD2010 21-38)  ページ: 111-114  発行年: 2010年07月15日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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CMOSプロセスのメタル配線層を利用したオンチップメタルグリッド偏光子を搭載した偏光計測イメージセンサにおいて,センササイズ小型化と画素ピッチ縮小による空間分解能向上を目指して,65nm標準CMOSプロセスを用いた偏光計測イメージセンサの設計・試作を行った。本報告では偏光計測イメージセンサの設計と,65nmプロセスにおける偏光検出について述べる。(著者抄録)
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分類 (1件):
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偏光測定と偏光計 

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