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J-GLOBAL ID：201002241886953178   整理番号：10A1128585

65nm CMOSプロセスを用いた偏光計測イメージセンサの性能向上

Performance Improvements of Polarization-Analyzing Image Sensor using 65nm CMOS process

著者 (5件)： 宍戸三四郎 (奈良先端科学技術大学院大) ,  野田俊彦 (奈良先端科学技術大学院大) ,  笹川清隆 (奈良先端科学技術大学院大) ,  徳田崇 (奈良先端科学技術大学院大) ,  太田淳 (奈良先端科学技術大学院大)
資料名： 映像情報メディア学会技術報告
巻： 34  号： 38(IST2010 42-47)  ページ： 25-28  発行年： 2010年09月20日 
JST資料番号： S0209A  ISSN： 1342-6893  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： CMOSプロセスの微細化により光波長に対して十分に微細な構造が形成可能である。そこで我々は配線層を利用した微細メタルグリッドによる高消光比の実現を目的として,65nm CMOSプロセスを用いて偏光計測イメージセンサの設計・試作を行った。試作したセンサにより消光比2桁を達成したので報告する。(著者抄録)

シソーラス用語： *半導体プロセス ,  *CMOS構造 ,  ナノテクノロジー ,  *偏光 ,  *イメージセンサ ,  計測システム ,  改良 ,  偏光子 ,  半導体チップ ,  波長 ,  サブ波長 ,  *MOS構造
準シソーラス用語： *CMOSプロセス ,  オンチップ偏光子 ,  性能向上

分類 (4件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  偏光,複屈折,光学回転  (BD03040X) ,  計測機器一般  (AD02000X)

引用文献 (16件)：

• KOHYAMA, Y. A 1.4 μm Pixel Backside Illuminated CMOS Image Sensor with 300 mm Wafer Based on 65 nm Logic Technology. Proceedings of International Image Sensor Workshop 2009, June. 2009
• ITONAGA, K. 0.9μm pitch pixel CMOS image sensor design methodology. IEEE International Electron Devices Meeting, December 2009. 2009, 1-4
• EBBESEN, T. W. Extraordinary optical transmission through sub-wavelength hole arrays. Nature. 1998, 391, 667-669
• ISHI, T. Si Nano-Photodiode with a Surface Plasmon Antenna. Jpn. J. Appl. Phys. 2005, 44, 12, L364-L366
• 宮崎大輔. 偏光レイトレーシング法による透明物体の表面形状の推定手法. 電子情報通信学会論文誌D-II. 2008, J88-D-II, 8, 1432-1439

タイトルに関連する用語 (5件)： CMOSプロセス ,  偏光 ,  計測 ,  イメージセンサ ,  性能向上