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J-GLOBAL ID：201002247674546201   整理番号：10A0054638

シリコン太陽電池向け窒化シリコン上の溝形成のための非熱大気圧プラズマプロセス条件に関する研究

Studies on non-thermal atmospheric pressure plasma process conditions for groove formation on silicon nitride for silicon solar cells

著者 (3件)： HAMADA Toshiyuki (Interdisciplinary Graduate School of Agriculture and Engineering, Univ. of Miyazaki, 1-1 GakuenKibanadai-Nishi ...) ,  SAKODA Tatsuya (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Univ. of Miyazaki, 1-1 GakuenKibanadai-Nishi, Miyazaki 889-2192, JPN) ,  OTSUBO Masahisa (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Univ. of Miyazaki, 1-1 GakuenKibanadai-Nishi, Miyazaki 889-2192, JPN)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 12  号： 3  ページ： 106-112  発行年： 2009年06月 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 沿面放電を用いて,単結晶シリコン太陽電池の前面電極のための狭い電極溝の加工を調べた。電極溝は,基板上の窒化シリコン(SiN)膜をエッチングして形成した。沿面放電により10秒以内でSiN膜を効果的にエッチングでき,しかも1800nm/分以上の高エッチング速度を得た。Arガスの最適比は,無数の沿面ストリーマの形成を維持するに十分であり,エッチングガスの場合より3.2倍大きかった。高い放電電圧による短時間エッチングは狭い溝幅に対して効果的であった。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *太陽電池 ,  窒化ケイ素 ,  プラズマ ,  大気プラズマ ,  沿面放電 ,  ケイ素 ,  単結晶 ,  加工速度 ,  ストリーマ ,  *プラズマ加工 ,  *シリコン太陽電池 ,  単結晶シリコン ,  *低温プラズマ
準シソーラス用語： エッチング速度 ,  *大気圧プラズマ ,  *窒化シリコン ,  *非熱プラズマ

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  プラズマ応用  (BJ02110K) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン太陽電池 ,  窒化シリコン ,  溝形成 ,  大気圧プラズマ ,  プロセス条件 ,  研究