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J-GLOBAL ID：201002250103735598   整理番号：10A1119046

10nm範囲以下の幅と高さを有する(100)シリコンナノワイヤ全周囲ゲートMOSFETの一般移動度以上への移動度向上

Mobility Enhancement over Universal Mobility in (100) Silicon Nanowire Gate-All-Around MOSFETs with Width and Height of Less Than 10nm Range

著者 (3件)： CHEN Jiezhi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SARAYA Takuya (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2010  ページ： 139-140  発行年： 2010年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (100)シリコン-オン-絶縁膜(SOI)上サブ10nm全周囲ゲート(GAA)シリコンナノワイヤ(Si NW)MOSFETのキャリア移動度挙動について体系的に調べた。そのNWの高さと幅は各々,4~10nmと5~65nmであった。9nm幅NWで,一般移動度データと比較して,2.3倍大きい超高正孔移動度を実験により初めて観測し,5nm幅NWでも高正孔移動度であった。また,機械的単軸圧縮歪みを加えることにより,さらに移動度を向上可能であることを示した。これにより,NW nFETの電子移動度劣化を最小化するとともに,NW pFETでは非常に有利であることを示した。また,その基本物理機構についても検討した。

シソーラス用語： *MOSFET ,  *ケイ素 ,  *ナノワイヤ ,  *キャリア移動度 ,  素子構造 ,  *ゲート【半導体】 ,  立体構造 ,  正孔 ,  ゲートオールアラウンド構造
準シソーラス用語： ゲートオールアラウンド

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高さ ,  シリコンナノワイヤ ,  全周囲 ,  ゲート ,  MOSFET ,  移動度