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J-GLOBAL ID：201002254277895484   整理番号：10A0464962

ECRプラズマ界面窒化によるALD-Al₂O₃/InGaAs MOSキャパシタの界面特性向上

著者 (7件)： 星井拓也 (東大) ,  横山正史 (東大) ,  山田永 (住友化学) ,  秦雅彦 (住友化学) ,  安田哲二 (産業技術総合研) ,  竹中充 (東大) ,  高木信一 (東大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 57th  ページ： ROMBUNNO.20A-P16-11  発行年： 2010年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MOS構造 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  MOCVD ,  *酸化アルミニウム ,  誘電体薄膜 ,  *化学蒸着 ,  *容量電圧特性 ,  アニーリング【現象】 ,  MOSFET ,  周波数分散
準シソーラス用語： ALD ,  MOVPE ,  *プラズマ窒化 ,  界面準位

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： ECRプラズマ ,  界面 ,  窒化 ,  ALD ,  Al2O3 ,  InGaAs ,  MOSキャパシタ ,  界面特性