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J-GLOBAL ID：201002255448453368   整理番号：10A0978066

相変化材料を用いた導波路型光ゲートスイッチにおけるスイッチング動作

Switching Demonstration of an Optical Gate Switch Using a Phase-Change Material Integrated with Si Waveguides

著者 (9件)： 田中大輝 (慶応大 大学院理工学研究科) ,  伊熊雄一郎 (慶応大 大学院理工学研究科) ,  庄司雄哉 (産業技術総合研 ネットワークフォトニクス研究セ) ,  桑原正史 (産業技術総合研 光技術研究部門) ,  WANG Xiaomin (産業技術総合研 光技術研究部門) ,  金高健二 (産業技術総合研 ネットワークフォトニクス研究セ) ,  河島整 (産業技術総合研 ネットワークフォトニクス研究セ) ,  豊崎達也 (慶応大 大学院理工学研究科) ,  津田裕之 (慶応大 大学院理工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 181(LQE2010 24-60)  ページ： 127-130  発行年： 2010年08月19日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 膜厚が1μmと2nmの相変化材料(Ge₂Sb₂Te₅)薄膜を有する光ゲートスイッチを設計・試作し,光パルス照射によるスイッチング動作に初めて成功した。厚膜型ゲートスイッチでは,波長1525nmから1600nmnにおいてONからOFFへの一方向スイッチングを観測し,12.5dB以上の消光比を得た。薄膜型ゲートスイッチでは,二回のON/OFF/ON動作を観測し,出力光強度変化は一回目のON/OFF/ONにおいて14.3dB及び7.7dB,二回目のON/OFF/ONにおいて7.4dB及び4.4dBであった。結晶化光パルスはパルス幅453ns,ピークパワー63mW,アモルファス化光パルスはパルス幅10ns,ピークパワー150mWであり,それらの波長は660nmである。(著者抄録)

シソーラス用語： 材料 ,  *相転移 ,  *光導波路 ,  *光スイッチ ,  スイッチング ,  光照射 ,  消光比 ,  薄膜 ,  厚膜 ,  光パルス ,  相変化材料
準シソーラス用語： 光ゲートスイッチ ,  光パルス照射

分類 (2件)： 相転移・臨界現象一般  (BL04010V) ,  光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H)

タイトルに関連する用語 (4件)： 相変化材料 ,  導波路 ,  光ゲート ,  スイッチング