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J-GLOBAL ID：201002256853128780   整理番号：10A0343712

<110>及び<111>一軸圧縮歪による超薄本体pFETにおけるSi(110)正孔移動度の物理的理解

Physical Understandings of Si (110) Hole Mobility in Ultra-Thin Body pFETs by 〈110〉 and 〈111〉 Uniaxial Compressive Strain

著者 (3件)： SHIMIZU Ken (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SARAYA Takuya (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2009  ページ： 440-443  発行年： 2009年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (110)超薄本体pFETに関する<110>及び<111>短軸圧縮歪効果を系統的に研究した。<111>超薄本体pFETにおける歪効果が,大きな伝導有効質量変化及び無視しうる程の状態密度減少により,<110>)超薄本体pFETより大きいことを,測定及び計算により明確にした。これらの結果は,<111>方向超薄本体pFETがこれらの劣化からフリーであり,大きな正孔移動度を達成できることを示した。結果は,一軸歪<111>方向超薄本体pFETが有望な素子構造であることを示している。

シソーラス用語： *正孔 ,  *キャリア移動度 ,  ケイ素 ,  超薄膜 ,  *圧縮変形 ,  一軸 ,  *FET【トランジスタ】 ,  格子歪 ,  有効質量 ,  量子閉込め
準シソーラス用語： 一軸圧縮歪

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 一軸 ,  圧縮歪 ,  Si ,  正孔移動度 ,  物理 ,  理解