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J-GLOBAL ID：201002262067910742   整理番号：10A0464939

プラズマ処理によりシュリンク率を制御したSOG膜が誘起する応力の評価

著者 (16件)： 永田晃基 (明治大 理工) ,  小瀬村大亮 (明治大 理工) ,  武井宗久 (明治大 理工) ,  赤松弘彬 (明治大 理工) ,  服部真季 (明治大 理工) ,  水上雄輝 (明治大 理工) ,  小椋厚志 (明治大 理工) ,  小金澤智之 (高輝度光科学研究セ) ,  町田雅武 (高輝度光科学研究セ) ,  SON J. (高輝度光科学研究セ) ,  廣澤一郎 (高輝度光科学研究セ) ,  西田辰夫 (東京エレクトロンAT) ,  塩澤俊彦 (東京エレクトロンAT) ,  片山大介 (東京エレクトロンAT) ,  佐藤吉宏 (東京エレクトロンAT) ,  廣田良浩 (東京エレクトロンAT)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 57th  ページ： ROMBUNNO.19P-P13-11  発行年： 2010年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *プラズマ処理 ,  ウエハ【IC】 ,  *熱酸化 ,  Ramanスペクトル ,  紫外線 ,  歪 ,  圧縮応力 ,  *収縮 ,  ガラス ,  絶縁膜 ,  超小形回路技術 ,  *シリコンウエハ
準シソーラス用語： *シリコン基板 ,  *SOG

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  プラズマ応用  (BJ02110K)

タイトルに関連する用語 (6件)： プラズマ処理 ,  シュリンク ,  SOG ,  誘起 ,  応力 ,  評価