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J-GLOBAL ID：201002263582257136   整理番号：10A1104257

P(VDF/TrFE)圧電薄膜を用いた超音波測定によるシリコン原子空孔評価法の開発

著者 (10件)： 岡部和樹 (新潟大 大学院) ,  三本啓輔 (新潟大 大学院) ,  柳瀬隆志 (エムテーシー) ,  赤津光洋 (新潟大 大学院) ,  馬場正太郎 (新潟大 大学院) ,  小松悟 (新潟大 大学院) ,  小野恭史 (富山大 機器分析セ) ,  根本祐一 (新潟大 大学院) ,  金田寛 (新潟大 物質量子セ) ,  後藤輝孝 (新潟大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 71st  ページ： ROMBUNNO.16A-ZT-1  発行年： 2010年08月30日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 超音波応用 ,  *ケイ素 ,  *単結晶 ,  *弾性係数 ,  軟化 ,  空孔欠陥 ,  温度依存性 ,  ホウ素 ,  ドーピング ,  高分子薄膜 ,  圧電気 ,  *点欠陥 ,  *フッ化ビニリデン-トリフルオロエチレン共重合体 ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： *VDF-TrFE ,  *圧電薄膜

分類 (3件)： 固体の音波物性一般  (BL02031U) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (7件)： VDF ,  圧電薄膜 ,  超音波測定 ,  シリコン ,  原子空孔 ,  評価法 ,  開発