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J-GLOBAL ID：201002266681538561   整理番号：10A1103402

プラズマ処理によりシュリンク率を抑制したSOG膜がSTIに誘起する応力の評価

著者 (16件)： 水上雄輝 (明治大) ,  永田晃基 (明治大) ,  武井宗久 (明治大) ,  赤松弘彬 (明治大) ,  服部真季 (明治大) ,  小瀬村大亮 (明治大) ,  西田辰夫 (東京エレクトロンAT) ,  塩澤俊彦 (東京エレクトロンAT) ,  片山大介 (東京エレクトロンAT) ,  佐藤吉宏 (東京エレクトロンAT) ,  廣田良浩 (東京エレクトロンAT) ,  小金澤智之 (高輝度科学研究セ) ,  町田雅武 (高輝度科学研究セ) ,  SON J. (高輝度科学研究セ) ,  廣澤一郎 (高輝度科学研究セ) ,  小椋厚志 (明治大)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 71st  ページ： ROMBUNNO.15A-ZA-12  発行年： 2010年08月30日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 電気材料 ,  プラズマ処理 ,  *応力分布 ,  Ramanスペクトル ,  アイソレーション【IC】 ,  ケイ素 ,  酸化膜 ,  *収縮 ,  化成皮膜
準シソーラス用語： シャロートレンチアイソレーション ,  *スピンオングラス

分類 (1件)： 固体の機械的性質一般  (BL01021C)

タイトルに関連する用語 (7件)： プラズマ処理 ,  シュリンク ,  SOG ,  STI ,  誘起 ,  応力 ,  評価