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J-GLOBAL ID：201002268537762522   整理番号：10A0463110

YAGレーザーを用いたパルスレーザーメルティングによるシリコンへの硫黄の過飽和ドープ

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著者 (8件)： 中川将 (甲南大 理工) ,  香野淳 (福岡大) ,  WARRENDER J. M. (U.S.Army ARDEC) ,  WILLIAMS J. S. (Australian National Univ.) ,  CHARNVANICHBORIKARN S. (Australian National Univ.) ,  AZIZ M. J. (Harvard Univ.) ,  杉村陽 (甲南大 理工) ,  梅津郁朗 (甲南大 理工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 57th  ページ： ROMBUNNO.18P-E-14  発行年： 2010年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *パルスレーザ照射 ,  *半導体薄膜 ,  *ウエハ【IC】 ,  *表面改質 ,  *表面融解 ,  *ケイ素 ,  ドーピング ,  硫黄 ,  過飽和固溶体 ,  計算機シミュレーション ,  アモルファスシリコン ,  結晶化 ,  X線回折 ,  赤外吸収スペクトル ,  光吸収 ,  伝導伝熱 ,  計算機利用 ,  利用 ,  輸送現象
準シソーラス用語： 熱伝導

分類 (2件)： レーザ照射・損傷  (BK16040S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： YAGレーザー ,  シリコン ,  硫黄 ,  過飽和 ,  ドープ