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J-GLOBAL ID：201002274671226130   整理番号：10A0079712

パルスレーザーメルティング法での過飽和ドープに対するパルス幅の影響のシミュレーション

著者 (5件)： 中川将 (甲南大 大学院自然科学研究科) ,  梅津郁朗 (甲南大 量子ナノテクノロジー研) ,  梅津郁朗 (甲南大 理工) ,  杉村陽 (甲南大 量子ナノテクノロジー研) ,  杉村陽 (甲南大 理工)
資料名： Memoirs of Konan University. Science and Engineering Series  (Memoirs of Konan University. Science and Engineering Series)
巻： 56  号： 1  ページ： 1-9  発行年： 2009年12月25日 
JST資料番号： F0795A  ISSN： 1348-0383  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： パルスレーザーメルティング(PLM)で再結晶させることによる過飽和ドーピングの可能性を研究した。スパッタリングによりドープ層を形成し,パルスレーザ照射による最大溶融深度及び不純物濃度変化をパルス幅に関してシミュレートした。シミュレーションの結果,YAGレーザに対応する3nsのパルス幅のとき,最大溶融深度は370nmで,92.3%の不純物が残り,エキシマレーザに対応する30nsのパルス幅のとき,最大溶融深度は1200nmで,87.7%の不純物が残った。したがって,YAGレーザは,過飽和ドープに有効であるが,最大溶融深度を大きく犠牲にすることが分かった。

シソーラス用語： *レーザ融解 ,  *パルスレーザ照射 ,  YAGレーザ ,  エキシマレーザ ,  *ドーピング ,  スパッタ蒸着 ,  不純物濃度 ,  パルス幅 ,  表面温度 ,  界面 ,  *不純物分布 ,  深さ分布 ,  フルエンス ,  不純物拡散 ,  *再結晶 ,  イオン注入 ,  過飽和

分類 (2件)： レーザ照射・損傷  (BK16040S) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： 過飽和 ,  ドープ ,  パルス幅 ,  シミュレーション