文献

J-GLOBAL ID：201002284643733928   整理番号：10A1103345

パルスレーザーメルティング(PLM)法により作製したカルコゲン過飽和ドープSiの赤外光吸収と局所構造の相関

著者 (9件)： 香野淳 (福岡大 理) ,  岡島敏浩 (九州シンクロトロン光研究セ) ,  田尻恭之 (福岡大 理) ,  隅谷和嗣 (九州シンクロトロン光研究セ) ,  CHARNVANICHBORIKARN Supakit (Australian National Univ.) ,  WARRENDER Jeffrey M. (U.S. Army ARDEC) ,  WILLIAMS James S. (Australian National Univ.) ,  梅津郁朗 (甲南大 理) ,  AZIZ Michael J. (Harvard Univ.)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 71st  ページ： ROMBUNNO.14A-ZD-2  発行年： 2010年08月30日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 単結晶 ,  *ケイ素 ,  *酸素族元素 ,  硫黄 ,  セレン ,  パルスレーザ ,  XAFS ,  レーザ融解 ,  *赤外吸収スペクトル ,  過飽和 ,  *ドーピング ,  局所構造
準シソーラス用語： *カルコゲン

分類 (2件)： 半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (10件)： PLM ,  法 ,  作製 ,  カルコゲン ,  過飽和 ,  ドープ ,  Si ,  赤外光吸収 ,  局所構造 ,  相関