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J-GLOBAL ID：201002286126079820   整理番号：10A1536980

可変性分解法によって分析したドレーン電流可変性の起源

Origin of Larger Drain Current Variability in N-Type Field-Effect Transistors Analyzed by Variability Decomposition Method

著者 (11件)： TSUNOMURA Takaaki (MIRAI-Selete, Ibaraki, JPN) ,  KUMAR Anil (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  MIZUTANI Tomoko (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NISHIDA Akio (MIRAI-Selete, Ibaraki, JPN) ,  TAKEUCHI Kiyoshi (MIRAI-Selete, Ibaraki, JPN) ,  INABA Satoshi (MIRAI-Selete, Ibaraki, JPN) ,  KAMOHARA Shiro (MIRAI-Selete, Ibaraki, JPN) ,  TERADA Kazuo (Hiroshima City Univ., Hiroshima, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (MIRAI-Selete, Ibaraki, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  MOGAMI Tohru (MIRAI-Selete, Ibaraki, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 3  号： 11  ページ： 114201.1-114201.3  発行年： 2010年11月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p型電界効果トランジスタ(PFETs)よりn型電界効果トランジスタ(NFETs)での大きいオン状態ドレーン電流(I_on)可変性の起源を65nm技術を使い作ったFETを評価して研究した。NFETの大きいI_on可変性は,より大きい閾値電圧成分に起因するだけでなくNFETのI_on可変性のより大きい電流-開始電圧成分により起きることが分かった。さらに,NFETのI_on可変性は,閾値電圧と,NFETのI_on可変性の電流-開始電圧成分の減少を通してハロカーボン共埋め込みによって減らせることを実験的に確かめた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *可変性 ,  *FET【トランジスタ】 ,  P型半導体 ,  N型半導体 ,  閾値 ,  電圧 ,  塩化物 ,  炭素化合物 ,  埋込み【挿入】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (23件)：

• BHAVNAGARWALA, A. J. IEEE J. Solid-State Circuits. 2001, 36, 658
• TACHIBANA, F. Jpn. J. Appl. Phys. 2005, 44, 2147
• SUZUKI, M. Symp. VLSI Tech. Dig., 2010. 2010, 191
• KUHN, K. J. IEDM Tech. Dig., 2007. 2007, 471
• PELGROM, M. J. M. IEEE J. Solid-State Circuits. 1989, 24, 1433

タイトルに関連する用語 (5件)： 可変性 ,  分解法 ,  分析 ,  ドレーン ,  起源