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J-GLOBAL ID：201002291247336610   整理番号：10A0079714

Siナノ結晶集合体へのPイオンドープの効果

著者 (10件)： 平田圭 (甲南大 大学院自然科学研究科) ,  宜保学 (甲南大 大学院自然科学研究科) ,  吉田謙一 (イオンテクノセンター) ,  稲田貢 (関西大 システム理工) ,  梅津郁朗 (甲南大 理工) ,  梅津郁朗 (甲南大 量子ナノテクノロジー研) ,  長町信治 (イオンテクノセンター) ,  齊藤正 (関西大 システム理工) ,  杉村陽 (甲南大 理工) ,  杉村陽 (甲南大 量子ナノテクノロジー研)
資料名： Memoirs of Konan University. Science and Engineering Series  (Memoirs of Konan University. Science and Engineering Series)
巻： 56  号： 1  ページ： 21-30  発行年： 2009年12月25日 
JST資料番号： F0795A  ISSN： 1348-0383  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： パルスレーザアブレーションにより,Siナノ結晶膜を作製し,その後,Pイオン注入及びアニーリングを行い,電気伝導特性を研究した。二次イオン質量分析結果はPイオンがSiナノ結晶層に存在していることを明らかにした。1000°Cでのアニーリングにより,270Kにおける電気伝導度は約3倍になった。180K~270Kの温度領域において,コンダクタンスG(T)は,lnG(T)~T^-1に従うことが分かった。これらから,活性化エネルギーは,31.2meVであった。活性化エネルギーの低下は,PドープSiナノ結晶における電子輸送が熱アシストトンネリングであることを示唆した。

シソーラス用語： ケイ素 ,  *ナノ結晶 ,  半導体薄膜 ,  *リン ,  ドーピング ,  *イオン注入 ,  二次イオン質量分析 ,  *電気伝導率 ,  コンダクタンス ,  温度依存性 ,  活性化エネルギー ,  トンネル効果 ,  レーザ蒸着 ,  *レーザアブレーション ,  薄膜成長 ,  焼なまし ,  キャリア密度 ,  *パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： *シリコン

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  ナノ結晶 ,  集合体 ,  Pイオン ,  ドープ