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J-GLOBAL ID：201002294159969319   整理番号：10A0387503

(100)配向ダブルゲート超薄基板nMOSFETsにおける電子移動度劣化の抑制

Suppression of Electron Mobility Degradation in (100)-Oriented Double-Gate Ultrathin Body nMOSFETs

著者 (3件)： SHIMIZU Ken (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SARAYA Takuya (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 4  ページ： 284-286  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超薄基板(UTB)とダブルゲート(DG)MOSFETsは,短チャネル効果に対して優れた免疫性があるため注目されている。ITRS 2008では,ゲート長が10nmのFETsの量産化が2015年になると予測され,このときSOI厚みが3nm以下が求められている。本稿では,SOI厚みが4nm以下のDG nMOSFETsの電子移動度の検討を行った。その結果,SOI厚みが2nm以上では電子移動度の劣化が起こるが,SOI厚みが1.7nmの場合この劣化が抑制されることを示した。そして,その抑制メカニズムは超薄SOI層による強い量子閉じ込め効果であることを述べた。

シソーラス用語： ゲート【半導体】 ,  超薄膜 ,  MOSFET ,  *キャリア移動度 ,  *SOI構造 ,  NMOS構造 ,  N型半導体 ,  *量子閉込め ,  *超LSI ,  電子移動度
準シソーラス用語： ダブルゲート

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 配向 ,  ダブルゲート ,  電子移動度