文献
J-GLOBAL ID:201102200622825413   整理番号:11A0132077

種々のアルキル鎖を持つN-アルキルペリレンジイミド薄膜トランジスタに及ぼす熱処理効果

Thermal treatment effects on N-alkyl perylene diimide thin-film transistors with different alkyl chain
著者 (7件):
資料名:
巻: 108  号: 12  ページ: 124512  発行年: 2010年12月15日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
種々のN,N′-ジアルキル-3,4,9,10-ペリレンテトラカルボジイミド[PTCDI-Cn,アルキル-ドデシル(n=12),ブタデシル(n=14),オクタデシル(n=18)]薄膜トランジスタ(TFTs)が,置換アルキル鎖長に依存することを報告する。PTCDI薄膜の熱処理中2種の分子運動,すなわち同じ層内の分子配列と下部層から上部層への分子マイグレーションがあることが明瞭に示された。前者は直接粒子成長に直接関係し,外部電場の印加により制御可能である。後者もまた粒子成長に関係するばかりでなく,粒子間の亀裂形成にも関係している。これら2つの運動は,熱処理中アルキル鎖長に反対の依存性を示した。すなわち,前者はより長いアルキル鎖でより活性であるが,後者は短い鎖長でより活性であった。しかしながら,それらはまた,TFT性能に反対の効果を持ち,長いアルキル鎖を持つPTCDI薄膜は,熱処理においてTFT性能に大きな利点をもたらす。従ってPTCDI-C18のTFTは,140°Cの熱処理後,1.2cm2/Vの最高電子移動度を示した。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
有機化合物の電気伝導  ,  トランジスタ 
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る