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J-GLOBAL ID：201102208253590904   整理番号：11A1568645

NFETランダム性揺らぎ増加のモデル提案

Proposal of a Model for Increased NFET Random Fluctuations

著者 (5件)： TAKEUCHI Kiyoshi (MIRAI-Selete, Ibaraki, JPN) ,  NISHIDA Akio (MIRAI-Selete, Ibaraki, JPN) ,  KAMOHARA Shiro (MIRAI-Selete, Ibaraki, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  MOGAMI Tohru (MIRAI-Selete, Ibaraki, JPN)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2011  ページ： 192-193  発行年： 2011年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バルクPFETの無秩序なしきい値電圧(V_TH)揺らぎは,基板ドーパントの簡単な無秩序性により支配されたが,NFETのその無秩序な揺らぎは非常に大きくなる傾向を示した。この理由はまだ明らかにされていないため,CMOS性能と密度の改善のために解明する必要があった。動力学モンテカルロ(KM)シミュレーションを用いて,,ソース/ドレイン(S/D)注入により生じる点欠陥の量の変動が,ボロンの過渡増速拡散(TED)の変調によりNFETの無秩序な揺らぎを大きく増すことを示した。このTED変調モデルは,報告されたNFET揺らぎ挙動と一致した。TEDは,NFETの無秩序な揺らぎを制御するための重要な設計要因であることを示した。

シソーラス用語： *動力学 ,  *モンテカルロ法 ,  *シミュレーション ,  CMOS構造 ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  キャリア注入 ,  点欠陥 ,  ホウ素 ,  *N型半導体 ,  *FET【トランジスタ】 ,  P型半導体 ,  *ゆらぎ ,  不純物拡散 ,  不純物分布 ,  MOS構造
準シソーラス用語： 不規則ゆらぎ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ランダム性 ,  揺らぎ ,  モデル ,  提案