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J-GLOBAL ID：201102217185522198   整理番号：11A0797463

硫黄を過飽和ドープしたSi単結晶の中赤外吸収の温度依存特性

著者 (8件)： 高松義弘 (甲南大 理工) ,  香野淳 (福岡大 理) ,  WARRENDER J.M. (U.S.Army ARDEC) ,  WILLIAMS J.S. (Australian National Univ.) ,  CHARNVANICHBORIKARN S. (Australian National Univ.) ,  AZIZ M.J. (Harvard Univ.) ,  杉村陽 (甲南大 理工) ,  梅津郁朗 (甲南大 理工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 58th  ページ： ROMBUNNO.26A-KU-9  発行年： 2011年03月09日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *硫黄 ,  過飽和 ,  *ドーピング ,  *ケイ素 ,  単結晶 ,  *光吸収 ,  温度依存性 ,  パルスレーザ照射 ,  レーザ融解 ,  結晶成長 ,  深い準位 ,  ウエハ【IC】 ,  エキシマレーザ ,  結晶化 ,  透過率 ,  FTIR分光法 ,  室温 ,  エネルギー依存性 ,  キャリア移動度 ,  キャリア密度 ,  中赤外線 ,  自由電子

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 硫黄 ,  過飽和 ,  ドープ ,  Si単結晶 ,  赤外吸収 ,  温度依存