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J-GLOBAL ID：201102219783547521   整理番号：11A1489886

パルスレーザーメルティングによるSiへのTiの過飽和ドープ

著者 (3件)： 川邊大介 (甲南大 理工) ,  杉村陽 (甲南大 理工) ,  梅津郁朗 (甲南大 理工)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 72nd  ページ： ROMBUNNO.1A-B-14  発行年： 2011年08月16日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： パルスレーザ ,  *レーザ融解 ,  *ケイ素 ,  *ドーピング ,  チタン ,  YAGレーザ ,  イオン注入 ,  二次イオン質量分析 ,  透過率 ,  過飽和 ,  シリコン太陽電池

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  Ti ,  過飽和 ,  ドープ