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J-GLOBAL ID：201102221366522979   整理番号：11A1648077

超低電圧動作:素子の見通し

Ultra-Low-Voltage Operation: Device Perspective

著者 (1件)： HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Proceedings of the International Symposium on Low Power Electronics and Design  (Proceedings of the International Symposium on Low Power Electronics and Design)
巻： 2011  ページ： 59-60  発行年： 2011年 
JST資料番号： W1317A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超低電圧動作を実現するための課題と将来方向について素子の立場からレビューした。超低電圧化実現のための主な課題として,ばらつきの一層の増大やサブスレッショルドスイング(S)の問題を説明した。その解決法としては,ばらつきの抑制と短チャネル効果の低減の両方に効果がある完全空乏型トランジスタ(Fully Depleted Transistor)の導入が考えられる。

シソーラス用語： 電圧 ,  *超LSI ,  技術展望 ,  空乏層 ,  *トランジスタ ,  低電圧

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (2件)： 低電圧 ,  見通し