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J-GLOBAL ID：201102225237263504   整理番号：11A0287856

第一原理分子動力学法によるシリコン原子空孔の電子状態解析

著者 (6件)： 小川貴史 (新潟大 大学院) ,  鶴田健二 (岡山大 大学院) ,  家富洋 (新潟大 大学院) ,  根本祐一 (新潟大 大学院) ,  金田寛 (新潟大 物質量子セ) ,  後藤輝孝 (新潟大 大学院)
資料名： 分子シミュレーション討論会講演要旨集  (Book of Abstracts. International Conference on Molecular Simulation)
巻： 24th  ページ： 264-265  発行年： 2010年11月15日 
JST資料番号： L1841A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *第一原理 ,  *分子動力学 ,  *空孔欠陥 ,  *電子状態 ,  格子間原子 ,  点欠陥 ,  波動関数 ,  四重極モーメント ,  弾性係数 ,  平面波 ,  近似法 ,  擬ポテンシャル法 ,  密度汎関数法 ,  境界条件 ,  ダングリングボンド ,  三重項 ,  一重項 ,  エネルギー準位 ,  サイズ効果 ,  *ケイ素 ,  *原子空孔 ,  周期的境界条件
準シソーラス用語： シリコン ,  局所密度近似 ,  周期境界条件 ,  弾性定数 ,  電気四重極モーメント

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： 第一原理分子動力学法 ,  シリコン ,  原子空孔 ,  電子状態 ,  解析