文献

J-GLOBAL ID：201102232530705259   整理番号：11A1423334

二重ゲートGaN HEMTsによる二段高利得高電力分散増幅器

Two-Stage High-Gain High-Power Distributed Amplifier Using Dual-Gate GaN HEMTs

著者 (7件)： SANTHAKUMAR Rajkumar (Univ. California at Santa Barbara (UCSB), CA, USA) ,  THIBEAULT Brian (Univ. California at Santa Barbara (UCSB), CA, USA) ,  HIGASHIWAKI Masataka (Univ. California at Santa Barbara (UCSB), CA, USA) ,  KELLER Stacia (Univ. California at Santa Barbara (UCSB), CA, USA) ,  CHEN Zhen (Univ. California at Santa Barbara (UCSB), CA, USA) ,  MISHRA Umesh K. (Univ. California at Santa Barbara (UCSB), CA, USA) ,  YORK Robert A. (Univ. California at Santa Barbara (UCSB), CA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques  (IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques)
巻： 59  号： 8  ページ： 2059-2063  発行年： 2011年08月 
JST資料番号： C0229A  ISSN： 0018-9480  CODEN： IETMAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二重ゲートGaN HEMTsにより広帯域二段分散増幅器モノリシックマイクロ波集積回路(MMIC)を設計および試作した。多数の部品の歩留まりを改良し,動作回路を得るために複数のプロセス工程を修正した。2~18GHzの帯域幅にわたって約20dBの小信号利得を得た。広帯域電力測定を行い,2Wのピーク飽和出力電力を得た。二段MMICは8mm²の面積を占める。二重HEMTsを使用すると,標準のHEMTsに比較して優れた性能を示し,コンパクトにもできた。

シソーラス用語： *HEMT ,  *増幅器 ,  小信号利得 ,  MMIC ,  マイクロ波集積回路 ,  電気測定 ,  電力 ,  電力測定
準シソーラス用語： *GaN HEMT ,  *電力分散増幅器

分類 (2件)： 増幅回路  (NC05040U) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 二重ゲート ,  GaN ,  高利得 ,  高電力 ,  増幅器