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J-GLOBAL ID：201102243546338053   整理番号：11A0521406

チャネルドーパントのプロフィルがNFETとPFETのあいだのしきい値電圧変動における相違に及ぼす影響

Effect of Channel Dopant Profile on Difference in Threshold Voltage Variability Between NFETs and PFETs

著者 (4件)： TSUNOMURA Takaaki (MIRAI-Semiconductor Leading Edge Technol., Inc., Tsukuba, JPN) ,  NISHIDA Akio (MIRAI-Semiconductor Leading Edge Technol., Inc., Tsukuba, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (MIRAI-Semiconductor Leading Edge Technol., Inc., Tsukuba, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 58  号： 2  ページ： 364-369  発行年： 2011年02月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： LSIの機能が,そのなかで使われている素子のサイズのスケールダウンによって向上し,同時に,電気特性のばらつきの問題がMOSFETの微細化とともに深刻になりつつある。本報告はn-とp-FET(それぞれ,NFETとPFET)のあいだのしきい値電圧V_Tの変動の背後にあるメカニズムについて,チャネルドーパント分布プロフィルの視点から検討している。横方向チャネルプロフィルの不均一の原因としてハロ注入効果を検討した。ハロ注入はV_T変動を増大させはするけれども,NFETとPFETのあいだに生じるV_T変動量の相違にはハロ注入は関与しないとわかった。過渡的に拡張された拡散によって生じる高いホウ素濃度の領域が,PFETよりもNFETによりおおきなV_T変動に大きく寄与していると判明した。

シソーラス用語： 不純物分布 ,  ドーパント ,  ホウ素 ,  ドーピング ,  *MOSFET ,  *電圧 ,  分散【variance】 ,  チャネル ,  空乏層 ,  素子構造 ,  ゲート【半導体】 ,  電荷分布 ,  キャリア注入 ,  *閾値電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： チャネル ,  ドーパント ,  プロフィル ,  しきい値電圧 ,  相違