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J-GLOBAL ID：201102247487361076   整理番号：11A0797255

ALD-Al₂O₃/InP界面におけるコンダクタンスカーブの定量解析

著者 (15件)： 田岡紀之 (東大) ,  横山正史 (東大) ,  KIM S. H. (東大) ,  鈴木麗菜 (東大) ,  星井拓也 (東大) ,  飯田亮 (東大) ,  LEE S. (東大) ,  卜部友二 (産業技術総合研) ,  宮田典幸 (産業技術総合研) ,  安田哲二 (産業技術総合研) ,  山田永 (住友化学) ,  福原昇 (住友化学) ,  秦雅彦 (住友化学) ,  竹中充 (東大) ,  高木信一 (東大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 58th  ページ： ROMBUNNO.26P-KW-12  発行年： 2011年03月09日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化アルミニウム ,  *リン化インジウム ,  化合物半導体 ,  *MIS構造 ,  コンデンサ ,  容量電圧特性 ,  *コンダクタンス ,  周波数依存性 ,  アンモニウム化合物 ,  硫化物 ,  表面処理 ,  表面準位 ,  硫化アンモニウム
準シソーラス用語： キャパシタ ,  *界面準位

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (5件)： ALD ,  Al2O3 ,  InP ,  界面 ,  定量解析