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J-GLOBAL ID：201102258714799484   整理番号：11A0637736

ポリチオフェン系薄膜トランジスタの作製に用いる溶液中の揮発性添加剤の影響

Effects of volatile additives in solutions used to prepare polythiophene-based thin-film transistors

著者 (5件)： ICHIKAWA Musubu (Functional Polymer Sci. Course, Div. of Chemistry and Materials, Fac. of Textile Sci. and Technol., Shinshu Univ. ...) ,  YAMAMURA Kenta (Functional Polymer Sci. Course, Div. of Chemistry and Materials, Fac. of Textile Sci. and Technol., Shinshu Univ. ...) ,  JEON Hyeon-gu (Functional Polymer Sci. Course, Div. of Chemistry and Materials, Fac. of Textile Sci. and Technol., Shinshu Univ. ...) ,  NAKAJIMA Miyako (Functional Polymer Sci. Course, Div. of Chemistry and Materials, Fac. of Textile Sci. and Technol., Shinshu Univ. ...) ,  TANIGUCHI Yoshio (Shinshu Univ., 3-15-1 Tokida, Ueda 386-8567, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 109  号： 5  ページ： 054504  発行年： 2011年03月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 立体規則性ポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT)の薄膜トランジスタ(TFT)を作製するために用いる溶液の揮発性添加剤の影響を調べた。添加剤にはP3HTに対して貧溶媒であるトリフルオロメチルベンゼン(TFMB)とメチルシクロヘキサン(MCH)を用いた。主溶媒(四塩化炭素)の沸点(T^b)が添加剤のそれよりも低いとき添加剤はTFTの性能を向上させる。最大移動度は(4.0±0.9)×10^-2cm²V^-1s^-1で,これは溶媒にTFMBやMCHを添加せずに作製したTFTのそれの6.1倍であった。オン/オフ比とサブスレッショルド係数も改善した。添加剤と溶媒の相対T^bは膜形成に影響し,薄膜堆積の最終段階で残るTFMBやMCHの量はP3HT凝集体の析出に影響した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ポリチオフェン ,  *薄膜トランジスタ ,  ポリヘキシルチオフェン ,  有機半導体 ,  *添加剤 ,  移動度 ,  比率 ,  係数 ,  *薄膜成長 ,  脂肪族塩素化合物
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  サブスレッショルド係数 ,  ポリ(3-ヘキシルチオフェン)

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (3件)： トリフルオロメチルベンゼン ,  メチルシクロヘキサン ,  四塩化炭素

タイトルに関連する用語 (6件)： ポリチオフェン ,  薄膜トランジスタ ,  作製 ,  溶液 ,  揮発性 ,  添加剤