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J-GLOBAL ID：201102259704499870   整理番号：11A1489885

硫黄を過飽和ドープしたSi単結晶のキャリア生成

著者 (6件)： 松田祐樹 (甲南大 理工) ,  中川将 (甲南大 理工) ,  高取裕樹 (甲南大 理工) ,  内藤宗幸 (甲南大 理工) ,  杉村陽 (甲南大 理工) ,  梅津郁朗 (甲南大 理工)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 72nd  ページ： ROMBUNNO.1A-B-13  発行年： 2011年08月16日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *レーザ融解 ,  *ケイ素 ,  ドーピング ,  硫黄 ,  太陽電池 ,  イオン注入 ,  *光伝導 ,  光吸収 ,  透過型電子顕微鏡 ,  X線回折 ,  YAGレーザ ,  *キャリア生成 ,  単結晶 ,  パルスレーザ ,  過飽和

分類 (1件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (5件)： 硫黄 ,  過飽和 ,  ドープ ,  Si単結晶 ,  キャリア生成