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J-GLOBAL ID：201102274525473824   整理番号：11A0797254

窒素プラズマを用いたAl₂O₃/InGaAs MOS構造の価電子帯近傍界面特性の改善

著者 (13件)： LEE Sunghoon (東大) ,  飯田亮 (東大) ,  KIM S. H. (東大) ,  星井拓也 (東大) ,  田岡紀之 (東大) ,  横山正史 (東大) ,  JEVASUWAN W. (産業技術総合研) ,  安田哲二 (産業技術総合研) ,  山田永 (住友化学) ,  福原昇 (住友化学) ,  秦雅彦 (住友化学) ,  竹中充 (東大) ,  高木信一 (東大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 58th  ページ： ROMBUNNO.26P-KW-11  発行年： 2011年03月09日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,  *酸化アルミニウム ,  *MOS構造 ,  *価電子バンド ,  コンデンサ ,  ECRプラズマ ,  容量電圧特性 ,  静電容量 ,  捕獲中心 ,  表面準位 ,  プラズマ
準シソーラス用語： キャパシタ ,  *界面準位

分類 (1件)： 表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (7件)： 窒素プラズマ ,  Al2O3 ,  InGaAs ,  MOS構造 ,  価電子帯 ,  近傍 ,  界面特性