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J-GLOBAL ID：201102279354036139   整理番号：11A1190471

固有チャネルSOI MOSFETにおける可変性に及ぼすバックバイアスの効果

Effect of Back Bias on Variability in Intrinsic Channel SOI MOSFETs

著者 (3件)： HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SARAYA Takuya (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  LEE Chiho (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Key Engineering Materials  (Key Engineering Materials)
巻： 470  ページ： 214-217  発行年： 2011年 
JST資料番号： D0744C  ISSN： 1013-9826  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 固有チャネルSOI MOSFETにおける閾値電圧(V_th)可変性に及ぼすバックバイアスの効果を,三次元素子シミュレーションを用いて分析し,その物理的理解を議論した。V_th可変性は,負のバックバイアス電圧においては,ランダム不純物ゆらぎ(RDF)により,わずかしか増えなかったが,正のバックバイアス電圧においては,バック界面反転により急激に増大した。結果として,V_thが最小となる,0Vの周辺のバックバイアス電圧のある値が存在した。固有チャネルSOI MOSFETは,0V及び負の値のバックバイアス電圧範囲で使われるべきであろう。

シソーラス用語： *MOSFET ,  *SOI構造 ,  チャネル ,  *可変性 ,  不純物 ,  ゆらぎ ,  *閾値電圧
準シソーラス用語： *バックバイアス電圧

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 固有 ,  チャネル ,  SOI ,  MOSFET ,  可変性 ,  バック ,  バイアス