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J-GLOBAL ID：201102282192528483   整理番号：11A1330954

液中マイクロ波や気相プラズマを使用するダイヤモンド堆積のための3成分系のC-H-Oダイヤグラムの考察

A consideration of ternary C-H-O diagram for diamond deposition using microwave in-liquid and gas phase plasma

著者 (6件)： TOYOTA H. ,  NOMURA S. ,  MUKASA S. ,  YAMASHITA H. ,  SHIMO T. ,  OKUDA S.
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 20  号： 8  ページ： 1255-1258  発行年： 2011年08月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究の目的は,液中のプラズマ化学蒸着(CVD)法を使用するダイヤモンド合成の機構を明らかにすることである。ここでは,メタノールとエタノールの混合液体(液中のプラズマCVD)およびメタンと水素のガス混合物(気相CVD)からの化学反応について調べた。一酸化炭素(CO)がまず合成されて,次に,残る炭素(C)と水素(H)を使用する化学反応が誘発され,炭素物質が合成される。残りのHラジカルは,ダイヤモンド結晶の成長を妨げる不完全に結合した炭素原子を取り除くエッチング剤として機能する。分光分析から,原料に酸素成分が含まれているとき,COピークが明確に観察された。原料として様々な液体やガス混合物を使用する炭素堆積の実験結果から,CO合成の後に残るHとCの領域がH/C>20を満たすことが,液中のプラズマCVD法を使用するダイヤモンドの合成に必要であることがわかった。BachmannC-H-Oダイヤグラム中のH/C>20の領域は,ダイヤモンド合成の実験結果とほぼ一致する。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,  鉱物合成 ,  *プラズマCVD ,  *プラズマ化学反応 ,  ラジカル反応 ,  水素 ,  反応機構 ,  条件 ,  状態図 ,  化学組成 ,  脂肪族アルコール ,  アルカン ,  反応条件 ,  *鉱石 ,  *宝石

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

物質索引 (3件)： メタノール ,  エタノール ,  メタン

タイトルに関連する用語 (7件)： 液中 ,  マイクロ波 ,  気相 ,  プラズマ ,  ダイヤモンド ,  堆積 ,  3成分系