特許
J-GLOBAL ID:201103007336284684
キャリア放出素子
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
藤島 洋一郎
, 三反崎 泰司
, 長谷部 政男
, 田名網 孝昭
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-210734
公開番号(公開出願番号):特開2011-060659
出願日: 2009年09月11日
公開日(公表日): 2011年03月24日
要約:
【課題】キャリアの引き出し効率を向上させることが可能なキャリア放出素子を提供する。【解決手段】針状の放出部10の先端部に、電子供給層としてのp型半導体層13Pと、電子放出層としての金属層15とを含む多層膜からなる積層構造を設ける。また、この多層膜内における全ての層間の界面(p型半導体層13Pと絶縁層14との界面および絶縁層14と金属層15との界面)が、放出部10の伸長方向(Z軸方向)と略垂直となっているようにする。放出部10における積層構造内の各等電位面Svも、この放出部10の伸長方向と略垂直になる。放出部10から外部へ電子が放出される際に、電子の移動方向が先端部側に向けて揃うことになり、先端部へ向けてキャリア(電子)が集中し易くなる。なお、積層構造としては、MOS構造、ショットキー接合構造もしくはヘテロ構造またはこれらの組み合わせを用いることができる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
下層側のキャリア供給層と上層側のキャリア放出層とを含む多層膜からなる積層構造を先端部に有する針状の放出部を備え、
前記多層膜内における全ての層間の界面が、前記放出部の伸長方向と略垂直となっている
キャリア放出素子。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (8件):
5C135AA10
, 5C135AB01
, 5C135AB11
, 5C135AB16
, 5C135AB18
, 5C135AC01
, 5C135HH06
, 5C135HH08
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