半導体装置の製造法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山敏夫 (外1名)
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願昭60-026558
公開番号（公開出願番号）：特開昭61-187340
出願日： 1985年02月15日
公開日（公表日）： 1986年08月21日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体装置の素子部及び配線部分の形成において、第1の材料を形成する工程と、前記の第1の材料上に必要とする形状のレジストパターンを形成する工程と、前記の第1の材料層が前記のマスクパターンと同一形状にエッチングされる工程と、前記の第1の材料上のレジストを残したまま、第2の材料をマイクロ波電子サイクロトロン堆積法、イオンビーム法またはスパッタ法のいずれかの方法により全面に形成する工程と、前記レジスト側面が露出するまで少なくとも前記第2の材料をドライエッチングする工程と、ついで前記のレジストを剥離除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造法。

IPC (1件)：