特許
J-GLOBAL ID：201103011078576184
配線形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-335433
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156068
特許番号：特許第3426550号
出願日： 1999年11月26日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜にストライプ状のスペースを備えたレジストパターンを形成する工程と、このレジストパターンをマスクとして前記絶縁膜を選択的にエッチングし、前記スペース部分の前記絶縁膜に溝を形成する工程と、転写板を用意してこの転写板上に金属を含む金属ペーストを塗布してこの金属ペーストの膜を形成する工程と、前記半導体基板のレジストパターン形成面と前記転写板の前記金属ペーストの膜形成面とを当接し、所定の温度に加熱するとともに所定の力で押しつけて前記溝内を前記金属ペーストで充填する工程と、前記溝内を前記金属ペーストで充填した後、前記半導体基板と前記転写板を所定温度以下まで冷却してから前記転写板を前記半導体基板より離間する工程と、前記転写板を離間した後、前記レジストパターンを除去して前記レジストパターン上の前記金属ペーストを除去し、前記絶縁膜の溝内に充填された前記金属ペーストを残す工程と、前記レジストパターンを除去した後、前記半導体基板上の前記金属ペーストを所定温度以上に加熱して焼成して金属ペーストより前記金属以外の成分を除去し、前記絶縁膜の溝内に前記金属からなる配線を形成する工程とを備えたことを特徴とする配線形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/288
H01L 21/288 Z
, H01L 21/88 B
, H01L 21/88 K
