特許

J-GLOBAL ID：201103012187374474

半導体装置およびその製造方法

発明者： 若林 整
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-319369
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150871
特許番号：特許第3144483号
出願日： 1998年11月10日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 シリコン基板上ゲート絶縁膜の上に構成されるゲート電極が、ゲート絶縁膜側から、窒化チタン膜、タングステンシリコン膜、タングステン膜の順に構成されることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (5件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/28 301 D ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 27/08 321 D