特許
J-GLOBAL ID:201103015856530281
半導体受光素子及び半導体受光装置の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
松元 洋
, 光石 俊郎
, 田中 康幸
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-008236
公開番号(公開出願番号):特開平11-204809
特許番号:特許第3608763号
出願日: 1998年01月20日
公開日(公表日): 1999年07月30日
請求項(抜粋):
【請求項1】光受光層を含む半導体多層構造よりなる受光部分と端面に表面側から離れるに従い内側に傾斜した光入射端面を設けることにより、該光入射端面で入射光を屈折させて、前記光受光層を入射光が層厚方向に対し斜めに通過するようにし、かつ、該光入射端面に対向してV又はU字型の溝を有する屈折型半導体受光素子において、該光入射端面部分及びその近傍が有機物質で埋められ、該有機物質により前記光入射端面が保護され、突合せ結合される光ファイバ又は光導波路の先端が該有機物質で止まるようにしたことを特徴とする半導体受光素子。
IPC (1件):
FI (1件):
引用特許:
前のページに戻る