特許

J-GLOBAL ID：201103017438680210

自己破壊型半導体装置

発明者： 小川 重男 ,  逸見 学 ,  町田 克之
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-243444
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077617
特許番号：特許第3725705号
出願日： 1998年08月28日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体メモリ素子とこのメモリ素子に記憶されたデータを処理する中央演算処理素子とが同一半導体基板上に形成された半導体集積回路と、自己破壊を行うための電力供給源と、前記半導体基板を搭載するための電極基体とを有する自己破壊型半導体装置であって、 前記電極基体は、前記半導体基板上の素子面に形成された複数の外部接続用基板側端子と接続するための複数の外部接続用基体側端子を有すると共に、前記半導体基板上の素子面に形成された複数の電力供給源接続用基板側端子あるいは前記電力供給源と接続するための複数の電力供給源接続用基体側端子を有し、この複数の電力供給源接続用基体側端子のうち、前記電力供給源接続用基板側端子に対応する端子と前記電力供給源に対応する端子とが配線接続され、 前記半導体基板は、前記半導体集積回路のメモリ情報の少なくとも一部を破壊あるいは少なくとも一部の信号配線を断線させることにより自己破壊を行う破壊回路と、この破壊回路により自己破壊を行うための電荷を蓄積しておく破壊用キャパシタと、前記電力供給源接続用基板側端子における前記電力供給源の出力電圧を監視しその電圧低下に応じて検出信号を出力する電圧変化検出回路と、通常動作時は前記電力供給源接続用基板側端子を介して前記電力供給源と前記破壊用キャパシタを接続し、前記電圧変化検出回路から検出信号が出力されたときは、前記接続を遮断して前記破壊用キャパシタと前記破壊回路を接続する制御回路乃至素子とを有し、 前記半導体基板の素子面と前記電極基体とが対向するように、前記外部接続用基板側端子と前記外部接続用基体側端子とが接続され、前記電力供給源接続用基板側端子と前記電力供給源接続用基体側端子のうちの対応する端子とが接続されると共に、前記電力供給源と前記電力供給源接続用基体側端子のうちの対応する端子とが接続されていることを特徴とする自己破壊型半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/822 ,  G06F 12/14 ,  G06K 19/077 ,  G06K 19/10 ,  H01L 27/04

FI (5件)：

H01L 27/04 H ,  G06F 12/14 560 D ,  G06F 12/14 560 E ,  G06K 19/00 K ,  G06K 19/00 R