特許

J-GLOBAL ID：201103018400338434

自己破壊型半導体装置

発明者： 小川 重男 ,  逸見 学 ,  町田 克之
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-229766
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058760
特許番号：特許第3420944号
出願日： 1998年08月14日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体メモリ素子とこのメモリ素子に記憶されたデータを処理する中央演算処理素子とが同一半導体基板上に形成された半導体集積回路を有する半導体装置において、自己破壊を行うための電力供給源を有すると共に、前記半導体集積回路のメモリ情報の少なくとも一部を破壊あるいは少なくとも一部の信号配線を断線させることにより自己破壊を行う破壊回路と、この破壊回路により自己破壊を行うための電荷を蓄積しておく破壊用キャパシタと、電力供給源の出力電圧を監視しその電圧低下に応じて検出信号を出力する電圧変化検出回路と、電圧変化検出回路から検出信号が出力されたとき、破壊用キャパシタと破壊回路を接続する制御回路乃至素子とを、それぞれ前記半導体基板上に有し、前記電力供給源は、破壊用キャパシタに電荷を蓄積するための第1の電力供給源と、電圧変化検出回路と接続される第2の電力供給源とからなることを特徴とする自己破壊型半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/822 ,  G06F 12/14 320 ,  G11C 17/18 ,  H01L 27/04

FI (3件)：

G06F 12/14 320 D ,  H01L 27/04 H ,  G11C 17/00 306